IGW50N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5

Блок-схема

Группа компонентов

Основные параметры

Общее описание

Отличительные особенности:

• Новый эталон эффективности для «лучших в своём классе» устройств
• Самые низкие потери на переключение
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер V_CE(sat) на 10% ниже, чем у транзисторов предыдущего поколения
• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V_BR 650 В
• Температурная стабильность падения напряжения на встроенном встречно-параллельном диоде
• Сниженный в 2,5 раза по сравнению с семейством HighSpeed 3 заряд затвора Q_G

Преимущества IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5:

• Лучшая в своем классе устройств эффективность, благодаря которой снижена температура перехода и корпуса и увеличена надёжность
• Допустимый уровень импульсного перенапряжения в питающей линии: 50 В
• Конструкция транзистора с повышенной плотностью мощности

Область применения:

• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания
• Инверторы солнечных батарей

IGW50N65H5

Infineon Technologies

Поставки и консультации:

EBV Elektronik

http://www.ebv.com/

Дистрибуторы

• EBV Elektronik
• ЭФО
• Симметрон

Дилеры

• Чиптрэйд
• Элкотех
• ГАММА. Выборг
• СКАНТИ Рус
• СМД Компонент
• Золотой Шар

Где купить ещё