+ IRF5805, HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IRF5805 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

 

Блок-схема

IRF5805, HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS,В 30
RDS(ON) 4.5 В,мОм 165
RDS(ON) 10 В,мОм 98
ID,А 3.8
PD,Вт 2
Корпус TSOP-6
Datasheet
 
IRF5805 (131 Кб), 14.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IRF5805 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel (131 Кб), 14.05.2008



Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 886 		Дата публикации: 14.05.2008 11:11
Дата редактирования: 14.05.2008 11:13

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники