+ IRF5806, HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IRF5806 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

 

Блок-схема

IRF5806, HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS,В 20
RDS(ON) 2,7 В,мОм 147
RDS(ON) 4.5 В,мОм 86
ID,А 4
PD,Вт 2
Корпус TSOP-6
Datasheet
 
IRF5806 (130.6 Кб), 14.05.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IRF5806 HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel (130.6 Кб), 14.05.2008



Автор документа: Оксана Данова, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1041 		Дата публикации: 14.05.2008 11:04
Дата редактирования: 14.05.2008 11:06

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники