+ TSB1184CP, PNP транзистор с малым напряжением насыщения
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

TSB1184CP PNP транзистор с малым напряжением насыщения

 

Блок-схема

TSB1184CP, PNP транзистор с малым напряжением насыщения

Группа компонентов

Транзисторы общего назначения

Основные параметры

Полярность PNP
VCBO,В -40
VCEO,В -30
VEBO,В -6
IC,А -3
ICM,А -7
PD,Вт 5
hFE (мин.) 120
hFE (макс.) 560
VCE(sat),В -0.5
FT,МГц 80
TJ (макс.),°C 150
Корпус TO-252
Datasheet
 
TSB1184CP (309.3 Кб), 05.11.2013

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

TSB1184CP PNP транзистор с малым напряжением насыщения (309.3 Кб), 05.11.2013



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 664 		Дата публикации: 05.11.2013 14:05
Дата редактирования: 05.11.2013 14:22

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники