+ TSD1664CY, NPN транзистор с малым напряжением насыщения
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

TSD1664CY NPN транзистор с малым напряжением насыщения

 

Блок-схема

TSD1664CY, NPN транзистор с малым напряжением насыщения

Группа компонентов

Транзисторы общего назначения

Основные параметры

Полярность NPN
VCBO,В 40
VCEO,В 32
VEBO,В 5
IC,А 1
ICM,А 2
PD,Вт 0.5
hFE (мин.) 120
hFE (макс.) 390
VCE(sat),В 0.4
FT,МГц 150
TJ (макс.),°C 150
Корпус SOT-89
Datasheet
 
TSD1664CY (201.6 Кб), 05.11.2013

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

TSD1664CY NPN транзистор с малым напряжением насыщения (201.6 Кб), 05.11.2013



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 633 		Дата публикации: 05.11.2013 11:38
Дата редактирования: 05.11.2013 11:42

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники