Главная » Документация » Микросхемы » Память » Flash » Serial Flash

AT45DQ161 16 Мбит (+512 Кбит), последовательная DataFlash память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая/постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения двух или четырех бит за один такт

Блок-схема

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит	16
Организация: Разрядов,бит	8
Страница,Байт	512
Блок,кБайт	4
Буфер RAM,Байт	1024
Интерфейс	SPI
F (макс.),МГц	85
V_CC,В	от 2.3 до 3.6
I_CC(READ),мА	11
I_CC(WRITE),мА	12
I_CC(STB),мкА	25
T_A,°C	от -40 до 85
Корпус	SOIC-8 UBGA-9 SOIC (EIAJ) 8 UDFN-8

Общее описание

AT45DQ161 - последовательная Flash память с последовательным доступом и минимальным напряжением питания 2.3 В. Устройство идеально подходит для широкого круга приложений для хранения цифрового аудио контента, изображений, программного кода и данных. AT45DQ161 поддерживает последовательные интерфейсы SPI и RapidS и режим записи/чтения двух (Dual-I/O) или четырех (Quad-I/O) бит за один такт для приложений, требующих очень высокой скорости передачи данных. 17 301 504 бита памяти организованы в виде 4096 страниц по 512 или 528 байт каждая. Дополнительно к основной памяти, AT45DQ161 имеет два буфера SRAM памяти по 512/528 байт каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перезаписи страницы основной памяти. Поочередное обращение к каждому из двух буферов значительно увеличивает возможности системы записывать непрерывный поток данных. Помимо этого, SRAM буферы можно использовать в качестве дополнительной системной памяти или для эмуляции EEPROM (с побитовой или побайтовой перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись.

В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление.

AT45DQ161 работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 2.3 В до 3.6 В или от 2.5 до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK).

Отличительные особенности

Единое напряжение питания: от 2.3 В до 3.6 В или от 2.5 В до 3.6 В
Последовательный SPI-совместимый интерфейс
- Поддержка режимов 0 и 3 интерфейса SPI
- Поддержка интерфейса RapidS
- Поддержка режима записи в буфер двух (Dual-input) бит и четырех (Quad-input) бит данных за один такт
- Поддержка режима чтения из буфера двух (Dual-output) бит и четырех (Quad-output) бит данных за один такт
Высокое быстродействие
- 85 МГц (SPI)
- 85 МГц (Dual-I/O и Quad-I/O)
- Время установки уровня выходного сигнала (Clock-to-Output) t_V не более 6 нс
Конфигурируемый пользователем размер страницы
- 512 байт
- 528 байт (по умолчания)
- Размер страницы в 512 байт может быть задан фабрично
Два полностью независимых буфера SRAM памяти (по 512/528 байт каждый)
- Обеспечивают хранение поступающих данных во время перезаписи страниц основной памяти
Гибкие режимы записи
- Побайтовая/постраничная (от 1 до 512/528 байт) запись непосредственно в основную память
- Запись в буфер
- Запись в основную память из буфера
Гибкие режимы стирания
- Стирание по странице (по 512/528 байт каждая)
- Стирание по блоку (по 4 Кбайт каждый)
- Стирание по сектору (по 128 Кбайт каждый)
- Стирание всей памяти
Функция прерывания/возобновления процесса записи/стирания
Расширенные функции аппаратной и программной защиты данных
- Индивидуальная защита каждого сектора
- Последовательная блокировка (Lockdown) секторов, позволяющая перевести любой сектор в постоянное состояние "только для чтения"
128-байтный однократно программируемый (OTP) регистр защиты
- 64 байт предварительно запрограммировано на заводе-изготовителе (с уникальным идентификатором), 64 байт программируются пользователем
Аппаратно и программно управляемая функция сброса
Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
Ток потребления
- Сверхглубокий режим пониженного энергопотребления (Ultra-Deep Power-Down): 500 нА (тип.)
- Глубокий режим пониженного энергопотребления (Deep Power-Down): 3 мкА (тип.)
- Режим ожидания (Standby): 25 мкА (тип.)
- Режим чтения: 11 мА (тип. на частоте 20 МГц)
Износостойкость: 100.000 циклов запись/стирание
Срок хранения данных: 20 лет
Поддерживает полный диапазон промышленных температур (-40...+85°C)
Промышленно стандартные "зеленые" (не содержат свинца и галогенов, отвечают требованиям RoHS) корпуса
- 8-выводные SOIC шириной 150 mil (стандарт JEDEC) и 208 mil (EIAJ)
- Безвыводной, с 8-ю контактными площадками UDFN (5 х 6 х 0.6 мм)
- 9-выводной UBGA

Datasheet

AT45DQ161 (2.8 Мб), 31.12.2012

Производитель

Adesto Technologies

Где купить

Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT45DQ161 16 Мбит (+512 Кбит доп.), последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая или постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения четырех бит за один такт (2.8 Мб), 31.12.2012

Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 2419

Дата публикации: 31.12.2012 15:16
Дата редактирования: 31.12.2012 16:20

Подпишись на новости!

Мероприятия:

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск