+ AT45DQ161, 16 Мбит (+512 Кбит), последовательная DataFlash память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая/постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения двух или четырех бит за один такт
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

AT45DQ161 16 Мбит (+512 Кбит), последовательная DataFlash память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая/постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения двух или четырех бит за один такт

 

Блок-схема

AT45DQ161, 16 Мбит (+512 Кбит), последовательная DataFlash память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая/постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения двух или четырех бит за один такт
Увеличить

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 16
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 512
Блок,кБайт 4
Буфер RAM,Байт 1024
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 85
VCC,В от 2.3 до 3.6
ICC(READ),мА 11
ICC(WRITE),мА 12
ICC(STB),мкА 25
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 UBGA-9 SOIC (EIAJ) 8 UDFN-8

Общее описание

AT45DQ161 - последовательная Flash память с последовательным доступом и минимальным напряжением питания 2.3 В. Устройство идеально подходит для широкого круга приложений для хранения цифрового аудио контента, изображений, программного кода и данных. AT45DQ161 поддерживает последовательные интерфейсы SPI и RapidS и режим записи/чтения двух (Dual-I/O) или четырех (Quad-I/O) бит за один такт для приложений, требующих очень высокой скорости передачи данных. 17 301 504 бита памяти организованы в виде 4096 страниц по 512 или 528 байт каждая. Дополнительно к основной памяти, AT45DQ161 имеет два буфера SRAM памяти по 512/528 байт каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перезаписи страницы основной памяти. Поочередное обращение к каждому из двух буферов значительно увеличивает возможности системы записывать непрерывный поток данных. Помимо этого, SRAM буферы можно использовать в качестве дополнительной системной памяти или для эмуляции EEPROM (с побитовой или побайтовой перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись.

В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление.

AT45DQ161 работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 2.3 В до 3.6 В или от 2.5 до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK).

Отличительные особенности

  • Единое напряжение питания: от 2.3 В до 3.6 В или от 2.5 В до 3.6 В
  • Последовательный SPI-совместимый интерфейс
    • Поддержка режимов 0 и 3 интерфейса SPI
    • Поддержка интерфейса RapidS
    • Поддержка режима записи в буфер двух (Dual-input) бит и четырех (Quad-input) бит данных за один такт
    • Поддержка режима чтения из буфера двух (Dual-output) бит и четырех (Quad-output) бит данных за один такт
  • Высокое быстродействие
    • 85 МГц (SPI)
    • 85 МГц (Dual-I/O и Quad-I/O)
    • Время установки уровня выходного сигнала (Clock-to-Output) tV не более 6 нс
  • Конфигурируемый пользователем размер страницы
    • 512 байт
    • 528 байт (по умолчания)
    • Размер страницы в 512 байт может быть задан фабрично
  • Два полностью независимых буфера SRAM памяти (по 512/528 байт каждый)
    • Обеспечивают хранение поступающих данных во время перезаписи страниц основной памяти
  • Гибкие режимы записи
    • Побайтовая/постраничная (от 1 до 512/528 байт) запись непосредственно в основную память
    • Запись в буфер
    • Запись в основную память из буфера
  • Гибкие режимы стирания
    • Стирание по странице (по 512/528 байт каждая)
    • Стирание по блоку (по 4 Кбайт каждый)
    • Стирание по сектору (по 128 Кбайт каждый)
    • Стирание всей памяти
  • Функция прерывания/возобновления процесса записи/стирания
  • Расширенные функции аппаратной и программной защиты данных
    • Индивидуальная защита каждого сектора
    • Последовательная блокировка (Lockdown) секторов, позволяющая перевести любой сектор в постоянное состояние "только для чтения"
  • 128-байтный однократно программируемый (OTP) регистр защиты
    • 64 байт предварительно запрограммировано на заводе-изготовителе (с уникальным идентификатором), 64 байт программируются пользователем
  • Аппаратно и программно управляемая функция сброса
  • Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
  • Ток потребления
    • Сверхглубокий режим пониженного энергопотребления (Ultra-Deep Power-Down): 500 нА (тип.)
    • Глубокий режим пониженного энергопотребления (Deep Power-Down): 3 мкА (тип.)
    • Режим ожидания (Standby): 25 мкА (тип.)
    • Режим чтения: 11 мА (тип. на частоте 20 МГц)
  • Износостойкость: 100.000 циклов запись/стирание
  • Срок хранения данных: 20 лет
  • Поддерживает полный диапазон промышленных температур (-40...+85°C)
  • Промышленно стандартные "зеленые" (не содержат свинца и галогенов, отвечают требованиям RoHS) корпуса
    • 8-выводные SOIC шириной 150 mil (стандарт JEDEC) и 208 mil (EIAJ)
    • Безвыводной, с 8-ю контактными площадками UDFN (5 х 6 х 0.6 мм)
    • 9-выводной UBGA
Datasheet
 
AT45DQ161 (2.8 Мб), 31.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT45DQ161 16 Мбит (+512 Кбит доп.), последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, постраничное/поблочное/посекторное стирание, побайтовая или постраничная (512 байт) запись, функция записи/чтения четырех бит за один такт (2.8 Мб), 31.12.2012



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 2321 		Дата публикации: 31.12.2012 15:16
Дата редактирования: 31.12.2012 16:20

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники