+ TEFD4300, Высокоскоростные p-i-n фотодиоды
 

TEFD4300 Высокоскоростные p-i-n фотодиоды

 

Блок-схема

TEFD4300, Высокоскоростные p-i-n фотодиоды

Группа компонентов

Фотодиоды

Основные параметры

TA,°C от -40 до 100
Корпус Round 3 mm

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Высокая чувствительность к излучению с длиной волны до 1120 нм
  • Доступны в прозрачных и черных эпоксидных пластиковых корпусах типа T-1
  • Оснащены блокирующим видимое излучение фильтром с полосой пропускания от 850 нм до 950 нм (только TEFD4300F)
  • Быстрое время переключения (до 10 нс) обеспечивает возможность применения в системах передачи данных
  • Линза диаметром 3 мм
  • Высокое значение обратного фототока: 17 мкА
  • Угол половинной чувствительности ±20°
  • Низкий температурный коэффициент фототока: 0.1% / K
  • Диапазон рабочих температур от -40°С до +100°C
  • Длина волны максимальной чувствительности 950 нм
  • Оптимизированы для совместного применения с инфракрасными излучающими приборами серий VSLB3940, TSUS4300 и TSAL4400
  • Не содержат соединений свинца
  • Соответствуют требованиям директив RoHS 2002/95/EC и WEEE 2002/96/EC
  • Соответствуют «Зеленой» экологической характеристике компании Vishay

Область применения:

  • Системы оптической передачи данных
  • Оптические прерыватели
  • Оптические переключатели
  • Энкодеры
  • Приложения определения положения
  • Измерительные датчики
Datasheet
 
TEFD4300 (83.5 Кб), 28.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

TEFD4300 Высокоскоростные p-i-n фотодиоды (83.5 Кб), 28.12.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 2077
Дата публикации: 28.12.2012 07:41
Дата редактирования: 28.12.2012 07:43


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019