FDME910PZT P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -8А

 

Блок-схема

FDME910PZT, P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -8А
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS -20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 45
RDS(ON) 2,5 В,мОм 31
RDS(ON) 4.5 В,мОм 24
ID -8
PD,Вт 2.1
Корпус MicroFET

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Допустимое постоянное напряжение сток–исток: -20 В
  • Рабочий постоянный ток до: -8 А
  • Сопротивление открытого канала (макс):
    • 24 мОм при напряжении затвора -4.5 В и токе канала -8 А
    • 31 мОм при напряжении затвора -2.5 В и токе канала -7 А
    • 45 мОм при напряжении затвора -1.8 В и токе канала -6 А
  • Доступны в компактных корпусах MicroFET™ с низким профилем (0.55 мм) размером 1.6 мм х 1.6 мм
  • Соответствуют нормативам защиты от статического электричества свыше 2 кВ (тип.) для модели человеческого тела (HBM)
  • Не содержат галогеносодержащих соединений и оксидов сурьмы
  • Соответствуют требованиям RoHS

Область применения:

  • Мобильные телефоны
  • Портативные навигаторы
Datasheet
 
FDME910PZT (266.1 Кб), 09.11.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDME910PZT P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -8А (266.1 Кб), 09.11.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 781
Дата публикации: 09.11.2012 08:07
Дата редактирования: 09.11.2012 08:10


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019