FDMA910PZ P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -9.4А

 

Блок-схема

FDMA910PZ, P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -9.4А
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS -20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 34
RDS(ON) 2,5 В,мОм 24
RDS(ON) 4.5 В,мОм 20
ID -9.4
PD,Вт 2.4
Корпус MicroFET

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Допустимое постоянное напряжение сток–исток: -20 В
  • Рабочий постоянный ток до: -9.4 А
  • Сопротивление открытого канала (макс):
    • 20 мОм при напряжении затвора -4.5 В и токе канала -9.4 А
    • 24 мОм при напряжении затвора -2.5 В и токе канала -8.6 А
    • 34 мОм при напряжении затвора -1.8 В и токе канала -7.2 А
  • Доступны в компактных корпусах MicroFET™ с низким профилем (0.8 мм) размером 2 мм х 2 мм
  • Соответствуют нормативам защиты от статического электричества свыше 2.8 кВ (тип.) для модели человеческого тела (HBM)
  • Не содержат галогенсодержащих соединений и оксидов сурьмы
  • Соответствуют требованиям RoHS

Область применения:

  • Мобильные телефоны
  • Портативные навигаторы
Datasheet
 
FDMA910PZ (231 Кб), 09.11.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDMA910PZ P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -9.4А (231 Кб), 09.11.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 532
Дата публикации: 09.11.2012 07:58
Дата редактирования: 09.11.2012 08:01


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019