+ ADR425B, Ультрапрецизионные XFET® источники опорного напряжения, низкий уровень шума

Главная » Документация » Микросхемы » Управление питанием » ИОН » Последовательные ИОН

ADR425B Ультрапрецизионные XFET® источники опорного напряжения, низкий уровень шума

Блок-схема

ADR425B, Ультрапрецизионные XFET® источники опорного напряжения, низкий уровень шума

Группа компонентов

Последовательные ИОН

Основные параметры

V_OUT,В	5
Погрешность (макс.),%	0.04
ТК,ppm/°C	3
V_IN,В	от 7 до 15
I_Q (тип.),мкА	600
I_O (макс.),мА	10
Шум (0.1...10Гц),мкВ_П-П	3.4
T_A,°C	от -40 до 125
Корпус	MSOP-8 SOIC-8

Общее описание

Datasheet

ADR42x (386 Кб), 17.10.2012

Производитель

Где купить

Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

ADR42x Ультрапрецизионные XFET® источники опорного напряжения, низкий уровень шума (386 Кб), 17.10.2012

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 814

Дата публикации: 17.10.2012 09:34
Дата редактирования: 17.10.2012 09:34

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019