+ VBT1045BP-E3, Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky)

Главная » Документация » Дискретные компоненты » Диоды » Выпрямительные диоды

VBT1045BP-E3 Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky)

Блок-схема

VBT1045BP-E3, Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky)

Группа компонентов

Выпрямительные диоды

Основные параметры

Кол-во диодов	1
V_RRM,В	45
V_F (макс.),В	0.64
I_FSM (макс.),А	100
T_J (макс.),°C	150
Корпус	TO-220AC

Общее описание

Отличительные особенности:

Изготовлены по технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky)
Малое падение напряжения (тип. 0.51 В при токе 20 А), малые потери мощности
Высокая эффективность работы
Рабочее напряжение до 45 В
Диапазон рабочих температур от -40°C до +150°C
Допустим монтаж пайкой при температуре 275°C до 10 с
Соответствуют директиве RoHS 2011/65/EU
Не содержат галогеноводородов в соответствии с директивой IEC 61249-2-21

Область применения:

Защитные шунтирующие диоды в ячейках солнечных батарей

Datasheet

VBT1045BP-E3 (79.5 Кб), 17.05.2012

Производитель

Где купить

Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

VBT1045BP-E3 Выпрямительные диоды с барьером Шоттки, изготовленные по вертикальной технологии TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) (79.5 Кб), 17.05.2012

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 781

Дата публикации: 17.05.2012 11:30
Дата редактирования: 17.05.2012 11:35

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019