IRFTS9342TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6)
Блок-схема Увеличить Группа компонентов MOSFETОсновные параметры
Общее описаниеОднокристальный дискретный p-канальный полевой транзистор, выполненный по технологии HEXFET. Транзистор рассчитан на напряжение -30В. Транзисторы семейства соответствуют спецификации RoHS и не содержат свинца, бромистых и галоидных соединений. Транзисторы могут применяться в широком спектре приложений. Отличительные особенности:
Области применение:
|
|
Datasheet
IRFTS9342TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) (222.6 Кб), 10.05.2012
Автор документа: Варламов,
|
Дата публикации: 10.05.2012 10:43 Дата редактирования: 10.05.2012 10:45 |