Главная » Документация » Дискретные компоненты » Силовые модули » IGBT Модули

FII30-12E IGBT модуль 1200В, 33А, корпус ISOPLUS i4-PAC™

Блок-схема

FII30-12E, IGBT модуль 1200В, 33А, корпус ISOPLUS i4-PAC™

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

V_CES,В	1200
Рабочий ток: I_C,А	20
Рабочий ток: При T_C,°C	90
V_CE(sat),В	2.4
t_d(on) (тип.),нс	205
t_r (тип.),нс	105
t_d(off) (тип.),нс	320
E_ON (тип.),мДж	4.1
E_OFF (тип.),мДж	1.5
P_D,Вт	150
I_F(FWD),А	15
Кол-во ключей	2
Конфигурация	Phase-Leg
V_ISO,В	2500
NTC	Нет
T_A,°C	от -55 до 150
Корпус	ISOPLUS_i4

Общее описание

Особенности:

V_ces: от 600В до 1700В
I_c(25): от 18A до 65A
NPT и NPT³ IGBT:

низкое V_ce(sat)
малые потери переключения
прямоугольная область безопасной работы RBSOA
устойчивость к режиму К.З.
допустимо параллельное включение (положительный температурный коэфициент)
короткий "хвост" тока, оптимально для резонансных схем

Ультра-быстрые диоды с мягким восстановлением
Корпус с DCB-изолированным медным теплоотводом, напряжение до 2500Vrms
Простой монтаж на печатную плату

Datasheet

FII30-12E (157.1 Кб), 28.04.2012

Производитель

Где купить

Поставки и консультации:

MT-System

МТ-Систем

Тел: (812) 325 3685

Тел: (812) 786 8579 (факс)

http://www.mt-system.ru/

Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

FII30-12E IGBT модуль 1200В, 33А, корпус ISOPLUS i4-PAC™ (157.1 Кб), 28.04.2012

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1103

Дата публикации: 28.04.2012 13:32
Дата редактирования: 03.05.2012 07:43

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019