Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MIEB101H1200EH IGBT модуль 1200В, 183А

 

Блок-схема

MIEB101H1200EH, IGBT модуль 1200В, 183А
Увеличить

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 128
Рабочий ток: При TC,°C 80
VCE(sat),В 1.8
td(on) (тип.),нс 120
tr (тип.),нс 55
td(off) (тип.),нс 460
EON (тип.),мДж 9.5
EOFF (тип.),мДж 9.7
PD,Вт 630
IF(FWD),А 90
Кол-во ключей 4
Конфигурация Полный мост
VISO,В 3600
NTC Нет
TA,°C от -40 до 125
Корпус E3-Pack

Общее описание

Особенности:

  • Vces: от 600В до 1200В
  • Ic(25): от 65A до 183A
  • NPT и NPT³ IGBT:
    • низкое Vce(sat)
    • малые потери переключения
    • прямоугольная область безопасной работы RBSOA
    • устойчивость к режиму К.З.
    • допустимо параллельное включение (положительный температурный коэфициент)
    • короткий "хвост" тока, оптимально для резонансных схем
  • Ультра-быстрые диоды с мягким восстановлением
  • Корпус с DCB-изолированным медным теплоотводом, напряжение до 2500Vrms
Datasheet
 
MIEB101H1200EH (399.8 Кб), 28.04.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MIEB101H1200EH IGBT модуль 1200В, 183А (399.8 Кб), 28.04.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 644 		Дата публикации: 28.04.2012 11:01
Дата редактирования: 28.04.2012 11:03

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники