MIXA61H1200ED IGBT модуль 1200В, 85А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through)

 

Блок-схема

MIXA61H1200ED, IGBT модуль 1200В, 85А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through)
Увеличить

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES 1200
Рабочий ток: IC 60
Рабочий ток: При TC,°C 80
VCE(sat) 1.8
td(on) (тип.),нс 70
tr (тип.),нс 40
td(off) (тип.),нс 250
EON (тип.),мДж 4.5
EOFF (тип.),мДж 5.5
PD,Вт 290
IF(FWD) 57
Кол-во ключей 4
Конфигурация Полный мост
VISO 3000
NTC Да
TA,°C от -40 до 125
Корпус E2-Pack

Общее описание

Особенности:

  • Допускается параллельное соединение (т.к. позитивный температурный коэфициент)
  • Надёжная конструкция XPT (Xtreme light Punch Through):
    • работа в режиме К.З. до 10 мкс
    • сверхнизкий заряд затвора
    • мягкое переключение, высокая Э/М совместимость
    • прямоугольная заона RBSOA @ 3 x Ic
  • Технология "Thin wafer" + SPT конструкция = сверхнизкое VCE(sat)
  • Доступны модели со встроенным SONIC™ диодом:
    • быстрое и мягкое обратное восстановление
    • малое падение на обратном диоде
Datasheet
 
MIXA 61H1200ED (392.6 Кб), 26.04.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MIXA 61H1200ED IGBT модуль 1200В, 85А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) (392.6 Кб), 26.04.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 895
Дата публикации: 26.04.2012 09:52
Дата редактирования: 26.04.2012 11:33


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019