TJ10S04M3L P-канальный MOSFET-транзистор

 

Блок-схема

TJ10S04M3L, P-канальный MOSFET-транзистор
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS -40
RDS(ON) 10 В,мОм 44
ID -10
PD,Вт 27
Корпус DPAK-3

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Малое сопротивление открытого канала: 33.8 мОм (тип.) при напряжении затвора -10 В
  • Малый ток утечки: -10 мкА при напряжении сток – исток -40 В
  • Режим обогащения: -2.0 .. -3.0 В при напряжении сток – исток -10 В и токе канала -1 мА
Datasheet
 
TJ10S04M3L (237.6 Кб), 28.03.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

TJ10S04M3L P-канальный MOSFET-транзистор (237.6 Кб), 28.03.2012

Связанные документы

Техническая документация
Каталог MOSFET-транзисторы Toshiba (2.2 Мб), 28.03.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 532
Дата публикации: 28.03.2012 11:34
Дата редактирования: 28.03.2012 11:38


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019