TJ10S04M3L P-канальный MOSFET-транзистор

Блок-схема

Увеличить

Группа компонентов

Основные параметры

Общее описание

Отличительные особенности:

• Малое сопротивление открытого канала: 33.8 мОм (тип.) при напряжении затвора -10 В
• Малый ток утечки: -10 мкА при напряжении сток – исток -40 В
• Режим обогащения: -2.0 .. -3.0 В при напряжении сток – исток -10 В и токе канала -1 мА

TJ10S04M3L

Toshiba

Поставки и консультации:

EBV Elektronik

http://www.ebv.com/

Дистрибуторы

• Arrow Electronics Russia
• EBV Elektronik

Дилеры

• Чиптрэйд
• Элкотех
• Элтех
• Точка Опоры
• Гранд Электроник
• МТ-Систем
• Платан
• Золотой Шар

Где купить ещё