+ PMV32UP, P-канальный MOSFET-транзистор 20В, 4А
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

PMV32UP P-канальный MOSFET-транзистор 20В, 4А

 

Блок-схема

PMV32UP, P-канальный MOSFET-транзистор 20В, 4А

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS,В -20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 36
RDS(ON) 2,7 В,мОм 36
RDS(ON) 2,5 В,мОм 36
RDS(ON) 4.5 В,мОм 36
RDS(ON) 10 В,мОм 36
ID,А -4
PD,Вт 0.51
Корпус SOT-23-3

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Диапазон рабочих напряжений от 12 В до 300 В
  • Низкое пороговое напряжение (менее 0.7 В)
  • Допустимость значительных пиковых токов и напряжений
  • Быстрое переключение
  • Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON): для P-канального транзистора до 27 мОм, для N-канального транзистора до 15 мОм.
Datasheet
 
PMV32UP (954.1 Кб), 22.02.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PMV32UP P-канальный MOSFET-транзистор 20В, 4А (954.1 Кб), 22.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1076 		Дата публикации: 22.02.2012 09:43
Дата редактирования: 22.02.2012 09:45

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники