Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTN200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTN200N10L2, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 11
RDS(ON) 2,7 В,мОм 11
RDS(ON) 2,5 В,мОм 11
RDS(ON) 4.5 В,мОм 11
RDS(ON) 10 В,мОм 11
ID,А 178
PD,Вт 830
Корпус SOT-227
Datasheet
 
IXTN200N10L2 (170.4 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTN200N10L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) (170.4 Кб), 23.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 441 		Дата публикации: 23.01.2012 08:53
Дата редактирования: 23.01.2012 08:54

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники