IXFB170N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFB170N30P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 300
RDS(ON) 1.8 В,мОм 18
RDS(ON) 2,7 В,мОм 18
RDS(ON) 2,5 В,мОм 18
RDS(ON) 4.5 В,мОм 18
RDS(ON) 10 В,мОм 18
ID 170
PD,Вт 1250
Корпус PLUS264
Datasheet
 
IXFB170N30P (129.7 Кб), 11.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFB170N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (129.7 Кб), 11.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 733
Дата публикации: 11.01.2012 10:06
Дата редактирования: 11.01.2012 10:09


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019