IXFK90N20Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFK90N20Q, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 200
RDS(ON) 1.8 В,мОм 22
RDS(ON) 2,7 В,мОм 22
RDS(ON) 2,5 В,мОм 22
RDS(ON) 4.5 В,мОм 22
RDS(ON) 10 В,мОм 22
ID 90
PD,Вт 500
Корпус TO-264AA

Общее описание

Не рекомендуется использовать для новых разработок.

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFx90N20Q (52.8 Кб), 10.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx90N20Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (52.8 Кб), 10.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 415
Дата публикации: 10.01.2012 14:22
Дата редактирования: 10.01.2012 14:22


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019