Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFR150N15 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFR150N15, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 150
RDS(ON) 1.8 В,мОм 12.5
RDS(ON) 2,7 В,мОм 12.5
RDS(ON) 2,5 В,мОм 12.5
RDS(ON) 4.5 В,мОм 12.5
RDS(ON) 10 В,мОм 12.5
ID,А 105
PD,Вт 400
Корпус ISOPLUS247

Общее описание

Не рекомендуется использовать для новых разработок.

Особенности:

  • Лавинная устойчивость
  • Высокая надёжность
  • Устойчивость к высокому dv/dt
  • Технология HiPerFET™ - встроенный быстрый диод
  • Низкое значение RDS(on)
  • Q2-класс: очень низкий заряд затвора, очень быстрое переключение
  • Q-класс: низкий заряд затвора, быстрое переключение
Datasheet
 
IXFR150N15 (34.7 Кб), 10.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFR150N15 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (34.7 Кб), 10.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 308 		Дата публикации: 10.01.2012 09:41
Дата редактирования: 10.01.2012 09:43

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники