+ LM5113, Высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

LM5113 Высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов

 

Блок-схема

LM5113, Высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов
Увеличить

Группа компонентов

Ключи и драйверы

Основные параметры

VCC,В от 4.5 до 5.5
TA,°C от -40 до 125
Корпус LLP-10

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Независимые, TTL-совместимые выходы управления драйверов верхнего и нижнего ключа
  • Пиковый ток: сток – 1.2 А; исток – 5 А
  • «Плавающая» шина напряжения смещения верхнего ключа до 100 В (постоянного тока)
  • Независимые выходы для регулировки интенсивности включения/выключения
  • Стягивающее / подтягивающее сопротивление: 0.5 Ом / 2 Ом
  • Малое время задержки распространения сигнала: 30 нс (тип.)
  • Высокий уровень согласования времени задержки: 2 нс (тип.)
  • Схема защиты от недопустимого снижения напряжения (UVLO) шины питания
  • Малый ток потребления
  • Температура перехода: -40…+125°C
  • 10-выводной корпус LLP, размером 4 х 4 мм
Datasheet
 
LM5113 (1.8 Мб), 22.08.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

LM5113 Высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора GaN FET-транзисторов (1.8 Мб), 22.08.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1687 		Дата публикации: 26.10.2011 12:37
Дата редактирования: 26.10.2011 12:41

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники