+ AT45DB041D, 2.5 В или 2.7 В, 4 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash®
 

AT45DB041D 2.5 В или 2.7 В, 4 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash®

 

Блок-схема

AT45DB041D, 2.5 В или 2.7 В, 4 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash®
Увеличить

Группа компонентов

DataFlash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 4
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 256
Блок,кБайт 2
Буфер RAM,Байт 512
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 66
VCC от 2.5 до 3.6
ICC(READ),мА 7
ICC(STB),мкА 25
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 VDFN-8 SOIC (EIAJ) 8

Общее описание

Микросхема снята с производства, рекомендованная замена: AT45DB041E.

AT45DB041D - Flash память последовательного доступа с напряжением питания 2.5 В или 2.7 В, идеально подходящая для хранения цифрового аудио, изображений, программного кода и данных. Микросхема поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих высоких скоростей передачи данных. 4 325 376 бит памяти организованы в виде 2048 страниц по 256 или 264 байта каждая. В дополнение к основной памяти, AT45DB041D содержит два буфера SRAM памяти по 256/264 байта каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перепрограммирования страницы основной памяти. Помимо этого, буферы можно использовать в качестве временной системной памяти, а также для эмуляции EEPROM (с побитной или побайтной перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись.

В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление.

AT45DB041D работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 2.5 В до 3.6 В или от 2.7 В до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK).

Datasheet
 
AT45DB041D (1.3 Мб), 21.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT45DB041D 2.5 В или 2.7 В, 4 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® (1.3 Мб), 21.12.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 6421
Дата публикации: 18.04.2008 09:10
Дата редактирования: 01.02.2016 16:32


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019