SiC779 Интегральная схема DrMOS с рабочим током 40 А в конфигурации полу-мост
Блок-схема Увеличить Группа компонентов MOSFETДрайверы IGBT/MOSFET Основные параметры
Общее описаниеОтличительные особенности:
|
|
Datasheet
SiC779 Интегральная схема DrMOS с рабочим током 40 А в конфигурации полу-мост (343.8 Кб), 01.09.2011Связанные документы
СправочникиDrMOS Спецификация 1.0 стандарта DrMOS компании Intel (137.1 Кб), 01.09.2011
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 01.09.2011 11:33 Дата редактирования: 01.09.2011 11:55 |