|
Блок-схема
Группа компонентов
Оптроны с драйвером MOSFET/IGBT
Основные параметры
| Каналов,шт |
1
|
| IF,мА |
от 10 до 16
|
| IOUT (макс.),А |
3
|
| CMR (мин.),В/мкс |
50
|
| VISO,В |
5000
|
| tPHL (макс.),нс |
210
|
| tPLH (макс.),нс |
210
|
| VCC,В |
от 15 до 30
|
| TA,°C |
от -40 до 100
|
| Корпус |
DIP-8
SMT-8
|
Общее описание
Отличительные особенности
- Ослабление синфазных шумов: 35 кВ/мкс
- Гарантированные рабочие характеристики в диапазоне температур: -40…+100°C
- Минимальный пиковый рабочий ток 3 А для управления MOSFET/IGBT-транзисторами средней мощности
- Высокая скорость коммутации
- Максимальное время задержки распространения сигнала: 210 нс
- Максимальное время искажения ширины импульса: 65 нс
- Высокая скорость нарастания/спада выходного сигнала
- Обеспечивает малое динамическое рассеяние мощности
- Максимальная частота коммутации: 250 кГц
- Широкий диапазон напряжения питания: 15…30 В
- Схема защиты от недопустимого превышения напряжения (UVLO) с гистерезисом – оптимально для управления IGBT-транзисторами
- Соответствует международным стандартам безопасности
- UL 1577 – тест на прочность изоляции при 3750 В переменного тока в течение 1 мин.
- IEC60747-5-2 – максимальное рабочее напряжение изоляции 1440 В (ожидает утверждения)
Область применения
- Плазменные панели
- Высокопроизводительные DC/DC конвертеры
- Высокопроизводительные импульсные источники питания и бесперебойные источники питания
- Изолированные драйверы затворов мощных MOSFET/IGBT-транзисторов
|
Datasheet
 FOD3184 (349.3 Кб), 19.01.2011
Производитель
Где купить
Поставки и консультации:
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|
