Группа компонентов
Драйверы IGBT/MOSFET
Основные параметры
Каналов,шт |
2
|
VCC,В |
от 14 до 30
|
VCE (макс.),В |
1200
|
IG,А |
от -70 до 70
|
POUT,Вт |
6
|
FSW (макс.),кГц |
120
|
td(on) (тип.),мкс |
0.4
|
td(off) (тип.),мкс |
0.4
|
VISO,В |
6000
|
Интерфейс |
Электричесикй
|
TA,°C |
от -40 до 85
|
Общее описание
Отличительные особенности
- Двухканальный модуль для двух- и многоуровневых топологий
- Интеллектуальная коммутация с использованием различных резисторов затвора
- Возможность регулировки в зависимости от применения
- Надежная схема защиты от
- перегрузки по току при всех режимах короткого замыкания
- перегрузки по напряжению в течение отключения
- Передовые функции управления и защиты
- схема мониторинга выхода транзистора из насыщения
- схема мониторинга di/dt
- схема ограничения с обратной связью с активным режимом
- различные режимы плавного отключения
- схема мониторинга напряжения питания
- Интегрированный DC/DC конвертер
- Проводное соединение с каждым типом IGBT модулей
- Электрический интерфейс управления
|
Datasheet
2IPSE3W12-60 (182.1 Кб), 07.10.2010
Производитель
Где купить
Дистрибуторы
Где купить ещё
|