+ AT45DB011B, 1 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash®
 

AT45DB011B 1 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash®

 

Блок-схема

AT45DB011B, 1 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash®
Увеличить

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 1
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 256
Блок,кБайт 2
Буфер RAM,Байт 256
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 20
VCC от 2.7 до 3.6
TA,°C от -55 до 125
Корпус SOIC-8 TSSOP-14 CBGA 9 (3x3) CBGA 90 (9x15)

Общее описание

Микросхема снята с производства, рекомендованная замена: AT45DB011D.

AT45DB011B - ИС Flash памяти с последовательным интерфейсом и напряжением питания 2.7 В, и идеально подходит для широкого спектра цифровых голосовых приложений, приложений визуализации, и приложений хранения программного кода, и данных. Память данной ИС, состоящая из 1 081 344 бит организована в 512 страниц по 264 байта каждая. Кроме памяти общего назначения ИС, также, имеет один SRAM буфер данных на 264 байта. Буфер обеспечивает возможность приема данных в режиме перепрограммирования страницы основной памяти. Режим эмуляции EEPROM (с побитным или побайтным изменением) прост в применении, благодаря встроенной, трехступенчатой системе команд Read - Modify - Write. В отличие от стандартных типов Flash памяти, обращение к которым, происходит произвольным образом в режиме многочисленных адресных строк и при помощи параллельного интерфейса, память типа DataFlash использует последовательный интерфейс для обращения к своим данным в режиме последовательного доступа. ИС поддерживает SPI - режимы типа 0 и 3. Простой последовательный интерфейс облегчает разводку интегральной структуры, увеличивает отказоустойчивость системы, минимизирует коммутационные шумы, а также, уменьшает размер корпуса и число необходимых активных выводов. ИС оптимизирована для использования в широком круге коммерческих и индустриальных приложений, для которых существенную роль играют высокая плотность размещения, малое число выводов, низкое напряжение питания, и низкое энергопотребление. ИС функционирует с тактовыми частотами, вплоть до 20 МГц при типовом потребляемом токе в режиме активного чтения 4 мА.

Для обеспечения удобства внутрисистемного перепрограммирования, ИС AT45DB011B не требует высоких входных напряжений в режиме программирования. ИС питается от однополярного источника с напряжением от 2.7 В до 3.6 В, как в режиме программирования, так и в режиме чтения. Выборка ИС AT45DB011B производится по входу CS (активный низкий), а доступ к ИС обеспечивается посредством 3-х проводного последовательного интерфейса, состоящего из сигнала последовательного входа (SI), последовательного выхода (SO) и последовательного тактового сигнала (SCK).

Все циклы программирования имеют встроенный контроль временных характеристик, а для проведения программирования предварительный цикл стирания не требуется.

При поставке ИС от Atmel, старшая значащая страница массива памяти может не быть чистой. Другими словами, содержимое последней страницы может быть заполнено содержимым, отличным от FFH.

Datasheet
 
AT45DB011B (388.4 Кб), 05.02.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

AT45DB011B 2.7 В, 1 Мбит ИС Flash памяти семейства DataFlash® (388.4 Кб), 05.02.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 3162
Дата публикации: 05.02.2008 16:24
Дата редактирования: 21.12.2012 07:57


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019