FDMC8200 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET

Блок-схема

Группа компонентов

Основные параметры

Общее описание

Отличительные особенности:

• n-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® (Q1):
  • R_{DS(ON) (макс.)}: 20 м? при V_GS = 10 В, I_D = 6 А
  • R_{DS(ON) (макс.)}: 32 м? при V_GS = 4.5 В, I_D = 5 А
• n-канальный MOSFET-транзистор PowerTrench® (Q2):
  • R_{DS(ON) (макс.)}: 9.5 м? при V_GS = 10 В, I_D = 9 А
  • R_{DS(ON) (макс.)}: 13.5 м? при V_GS = 4.5 В, I_D = 7 А

FDMC8200

Fairchild Semiconductor

Поставки и консультации:

EBV Elektronik

http://www.ebv.com/

Дистрибуторы

• Arrow Electronics Russia
• EBV Elektronik

Дилеры

• БИС электроник
• Чиптрэйд
• Элкотех
• Точка Опоры
• Гранд Электроник
• Интрон
• ПЭК
• Платан
• VD MAIS

Где купить ещё