SSM6J409TU Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)

 

Блок-схема

SSM6J409TU, Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS -20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 46.5
RDS(ON) 2,7 В,мОм 30.2
RDS(ON) 4.5 В,мОм 22.1
ID -9.5
PD,Вт 1
Корпус UF-6

Общее описание

Отличительные особенности

  • Напряжение Сток-Исток VDSS: -20 В (макс.)
  • Постоянный рабочий ток: -9.5 А (макс.)
  • Импульсный рабочий ток: -19 А (макс.)
  • Низкое сопротивление открытого канала RDS(ON)
    • RDS(ON) = 72.3 м? (макс.) при VGS = -1.5 В
    • RDS(ON) = 22.1 м? (макс.) при VGS = -4.5 В
Datasheet
 
SSM6J409TU (221.8 Кб), 15.12.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

SSM6J409TU Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) (221.8 Кб), 15.12.2009




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1017
Дата публикации: 15.12.2009 12:38
Дата редактирования: 15.12.2009 12:46


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019