+ M29DW128G, 128Мб, 3В Flash память с организацией 8Мб х 16
 

M29DW128G 128Мб, 3В Flash память с организацией 8Мб х 16

 

Блок-схема

M29DW128G, 128Мб, 3В Flash память с организацией 8Мб х 16
Увеличить

Группа компонентов

NOR Flash

Основные параметры

Организация: Слов,K 8192
Организация: Разрядов,бит 16
VCC от 2.7 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус TBGA-64 TSOP-56

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Напряжение питания 2.7…3.6 В для операций записи/чтения/стирания
  • Асинхронный режим произвольного/постраничного чтения
    • Размер страницы: 8 слов или 16 байт
    • Доступ к странице: 25, 30 нс
    • Произвольный доступ: 60 нс (только запрос пользователя) или 70, 80 нс
  • Стандартный интерфейс FLASH памяти (Common Flash Interface - CFI)
    • 64-битный код защиты
  • Аппаратная защита
    • Возможность защитить верхний или нижний блок памяти
  • Три различных режима программной защиты
    • Энергозависимая защита
    • Энергонезависимая защита
    • Защита паролем
  • Автомобильное исполнение устройств:
    • Диапазон рабочих температур: -40…+85°C (сертифицировано на соответствии автомобильным требованиям)
  • Корпуса отвечают требованиям RoHS
    • TSOP-56: 14 х 20 мм
    • TBGA-64: 10 х 13 мм, шаг выводов 1 мм
    • LBGA-64: 11 х 13 мм, шаг выводов 1 мм
Datasheet
 
M29DW128G (1.7 Мб), 25.09.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

M29DW128G 128Мб, 3В Flash память с организацией 8Мб х 16 (1.7 Мб), 25.09.2009




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1948
Дата публикации: 25.09.2009 08:13
Дата редактирования: 25.09.2009 08:15


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019