+ ZXMN2B03E6, 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

ZXMN2B03E6 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability

 

Блок-схема

ZXMN2B03E6, 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 20
RDS(ON) 1.8 В,мОм 75
RDS(ON) 4.5 В,мОм 40
ID,А 5.4
PD,Вт 1.1
Корпус SOT-23-6

Общее описание
Datasheet
 
ZXMN2B03E6 (579.6 Кб), 07.05.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

ZXMN2B03E6 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability (579.6 Кб), 07.05.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 943 Дата публикации: 07.05.2009 14:24
Дата редактирования: 07.05.2009 14:27

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники