IXTB30N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTB30N100L, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 450
RDS(ON) 2,7 В,мОм 450
RDS(ON) 2,5 В,мОм 450
RDS(ON) 4.5 В,мОм 450
RDS(ON) 10 В,мОм 450
ID 30
PD,Вт 800
Корпус PLUS264

Общее описание

Datasheet
 
IXTB30N100L (107.9 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTB30N100L Linear Power MOSFET With Extended FBSOA (107.9 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 577 Дата публикации: 19.02.2009 22:51
Дата редактирования: 23.01.2012 09:57


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019