IXTV200N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTV200N10T, N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 5.5
RDS(ON) 2,7 В,мОм 5.5
RDS(ON) 2,5 В,мОм 5.5
RDS(ON) 4.5 В,мОм 5.5
RDS(ON) 10 В,мОм 5.5
ID 200
PD,Вт 550
Корпус PLUS220

Общее описание

Datasheet
 
IXTV200N10T, IXTV200N10TS (215 Кб), 18.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTV200N10T, IXTV200N10TS TrenchMV Power MOSFET (215 Кб), 18.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 480 Дата публикации: 18.02.2009 20:38
Дата редактирования: 19.01.2012 11:33


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019