IXTP60N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTP60N10T, N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 18
RDS(ON) 2,7 В,мОм 18
RDS(ON) 2,5 В,мОм 18
RDS(ON) 4.5 В,мОм 18
RDS(ON) 10 В,мОм 18
ID 60
PD,Вт 176
Корпус TO-220

Общее описание

Datasheet
 
IXTA60N10T, IXTP60N10T (172.6 Кб), 18.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTA60N10T, IXTP60N10T TrenchMV Power MOSFET (172.6 Кб), 18.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1297 Дата публикации: 18.02.2009 19:21
Дата редактирования: 19.01.2012 08:36


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019