IXFB30N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFB30N120P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)
Увеличить

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1200
RDS(ON) 1.8 В,мОм 350
RDS(ON) 2,7 В,мОм 350
RDS(ON) 2,5 В,мОм 350
RDS(ON) 4.5 В,мОм 350
RDS(ON) 10 В,мОм 350
ID 30
PD,Вт 1250
Корпус PLUS264

Общее описание

Datasheet
 
IXFB30N120P (101.4 Кб), 14.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFB30N120P PolarVHV HiPerFET Power MOSFET (101.4 Кб), 14.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1014 Дата публикации: 14.02.2009 22:59
Дата редактирования: 17.01.2012 11:49


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019