Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFG55N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFG55N50, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 90
RDS(ON) 2,7 В,мОм 90
RDS(ON) 2,5 В,мОм 90
RDS(ON) 4.5 В,мОм 90
RDS(ON) 10 В,мОм 90
ID,А 48
PD,Вт 400
Корпус ISOPLUS264

Общее описание
Datasheet
 
IXFG55N50 (95.3 Кб), 12.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFG55N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) (95.3 Кб), 12.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 503 		Дата публикации: 11.02.2009 21:35
Дата редактирования: 12.01.2012 11:30

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники