IXTH50P10 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

 

Блок-схема

IXTH50P10, Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS -100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 55
RDS(ON) 2,7 В,мОм 55
RDS(ON) 2,5 В,мОм 55
RDS(ON) 4.5 В,мОм 55
RDS(ON) 10 В,мОм 55
ID -50
PD,Вт 300
Корпус TO-247

Общее описание

Datasheet
 
IXTH50P10, IXTT50P10 (118.1 Кб), 04.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH50P10, IXTT50P10 Standard Power MOSFET (118.1 Кб), 04.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 723 Дата публикации: 04.02.2009 21:12
Дата редактирования: 24.01.2012 09:38


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019