IXTA18P10T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

 

Блок-схема

IXTA18P10T, Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS -100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 120
RDS(ON) 2,7 В,мОм 120
RDS(ON) 2,5 В,мОм 120
RDS(ON) 4.5 В,мОм 120
RDS(ON) 10 В,мОм 120
ID -18
PD,Вт 83
Корпус TO-263

Общее описание

Datasheet
 
IXTA18P10T, IXTP18P10T, IXTY18P10T (181.9 Кб), 24.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTA18P10T, IXTP18P10T, IXTY18P10T TrenchP Power MOSFET (181.9 Кб), 24.01.2012




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 604 Дата публикации: 04.02.2009 21:06
Дата редактирования: 24.01.2012 09:49


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019