+ V8P10, Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

V8P10 Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа

 



Блок-схема

V8P10, Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 1
VRRM,В 100
IF(AV),А 8
VF (макс.),В 0.68
IR (макс.),мкА 70
IFSM (макс.),А 150
TJ (макс.),°C 150
Корпус TO-277A

Общее описание

  • Trench MOS диод Шотки
  • Низкопрофильный корпус - типовая высота 1.1 мм
  • Идеален для автоматического позиционирования на печатной плате
  • Низкое падение прямого напряжения, малая потеря мощности
  • Высокая эффективность
  • Максимальная температура при пайки на выводах 260°C, в соответствии SL level 1, J-STD-020
  • Бессвинцовая технология
  • Не содержит галогенов
Datasheet
 
V8P10 (106.8 Кб), 26.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

V8P10 Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа (106.8 Кб), 26.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 895 		Дата публикации: 26.11.2008 16:30
Дата редактирования: 26.11.2008 16:31

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники