+ VI20120S, Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

VI20120S Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки

 



Блок-схема

VI20120S, Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 1
VRRM,В 120
IF(AV),А 20
VF (макс.),В 1.12
IR (макс.),мкА 300
IFSM (макс.),А 200
TJ (макс.),°C 150
Корпус TO-262AA

Общее описание

  • Trench MOS диод Шотки
  • Низкое падение прямого напряжения, малая потеря мощности
  • Высокая эффективность
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек
  • Бессвинцовая технология
Datasheet
 
V20120S, VF20120S, VB20120S, VI20120S (162.1 Кб), 26.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

V20120S, VF20120S, VB20120S, VI20120S Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки (162.1 Кб), 26.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1050 		Дата публикации: 26.11.2008 12:36
Дата редактирования: 26.11.2008 12:36

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники