+ MBR40H50PT, Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MBR40H50PT Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода

 



Блок-схема

MBR40H50PT, Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 2
VRRM,В 50
IF(AV),А 40
VF (макс.),В 0.83
IR (макс.),мкА 300
IFSM (макс.),А 400
TJ (макс.),°C 175
Корпус TO-247AD

Общее описание

  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Малое падение прямого напряжения
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Datasheet
 
MBR40H35PT, MBR40H45PT, MBR40H50PT, MBR40H60PT (100.8 Кб), 25.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MBR40H35PT, MBR40H45PT, MBR40H50PT, MBR40H60PT Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода (100.8 Кб), 25.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 753 		Дата публикации: 25.11.2008 17:10
Дата редактирования: 25.11.2008 17:11

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники