+ MBRB7H50, Ограничительный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MBRB7H50 Ограничительный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода

 



Блок-схема

MBRB7H50, Ограничительный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 1
VRRM,В 50
IF(AV),А 7.5
VF (макс.),В 0.73
IR (макс.),мкА 50
IFSM (макс.),А 150
TJ (макс.),°C 175
Корпус D2-PAK

Общее описание

  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Низкое падение прямого напряжения
  • Малый ток утечки
  • Работа на высоких частотах
  • Максимальная температура при пайке на выводах 245°C, в соответствии MSL level 1, J-STD-020
  • Бессвинцовая технология
Datasheet
 
MBRx7H35-MBRx7H60 (143.4 Кб), 20.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MBRx7H35-MBRx7H60 Ограничительный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода (143.4 Кб), 20.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1047 		Дата публикации: 20.11.2008 12:07
Дата редактирования: 20.11.2008 12:08

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники