+ MBRF30H50CT, Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода
 

MBRF30H50CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

 



Блок-схема

MBRF30H50CT, Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 2
VRRM 50
IF(AV) 30
VF (макс.) 0.83
IR (макс.),мкА 60
IFSM (макс.) 150
TJ (макс.),°C 175
Корпус ITO-220AB

Общее описание

  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Низкое падение прямого напряжения
  • Малый ток утечки
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Datasheet
 
MBRx30H35CT-MBRx30H60CT (157.7 Кб), 19.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MBRx30H35CT-MBRx30H60CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода (157.7 Кб), 19.11.2008




Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 619
Дата публикации: 19.11.2008 18:53
Дата редактирования: 19.11.2008 18:53


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019