+ MBR30H35CT, Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MBR30H35CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

 



Блок-схема

MBR30H35CT, Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 2
VRRM,В 35
IF(AV),А 30
VF (макс.),В 0.73
IR (макс.),мкА 80
IFSM (макс.),А 150
TJ (макс.),°C 175
Корпус TO-220AB

Общее описание

  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Низкое падение прямого напряжения
  • Малый ток утечки
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Datasheet
 
MBRx30H35CT-MBRx30H60CT (157.7 Кб), 19.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MBRx30H35CT-MBRx30H60CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода (157.7 Кб), 19.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 798 		Дата публикации: 19.11.2008 18:49
Дата редактирования: 19.11.2008 18:51

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники