+ MBRF30H90CT, Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MBRF30H90CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

 



Блок-схема

MBRF30H90CT, Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 2
VRRM,В 90
IF(AV),А 30
VF (макс.),В 0.93
IR (макс.),мкА 5
IFSM (макс.),А 275
TJ (макс.),°C 175
Корпус ITO-220AB

Общее описание

  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Низкое падение прямого напряжения
  • Малый ток утечки
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Datasheet
 
MBRx30H90CT, MBRx30H100CT (155.1 Кб), 19.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MBRx30H90CT, MBRx30H100CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода (155.1 Кб), 19.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 630 		Дата публикации: 19.11.2008 18:41
Дата редактирования: 19.11.2008 18:42

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники