+ MBRB20H50CT, Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MBRB20H50CT Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

 



Блок-схема

MBRB20H50CT, Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 2
VRRM,В 50
IF(AV),А 20
VF (макс.),В 0.85
IR (макс.),мкА 100
IFSM (макс.),А 150
TJ (макс.),°C 175
Корпус D2-PAK

Общее описание

  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Низкое падение прямого напряжения
  • Малый ток утечки
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 245°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Datasheet
 
MBRx20H35CT-MBRx20H60CT (156.7 Кб), 19.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MBRx20H35CT-MBRx20H60CT Сдвоенный, с общим катодом, диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода (156.7 Кб), 19.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 650 		Дата публикации: 19.11.2008 17:24
Дата редактирования: 19.11.2008 18:32

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники