+ PHB160NQ08T, N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

PHB160NQ08T N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

 

Блок-схема

PHB160NQ08T, N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 75
RDS(ON) 10 В,мОм 4.8
ID,А 75
PD,Вт 300
Корпус D2-PAK

Общее описание
Datasheet
 
PHB160NQ08T, PHP160NQ08T (89.4 Кб), 29.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PHB160NQ08T, PHP160NQ08T N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET (89.4 Кб), 29.09.2008



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1284 		Дата публикации: 29.09.2008 16:04
Дата редактирования: 29.09.2008 16:07

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники