+ EP7311, Высокопроизводительная система на кристалле с низким током потребления и интегрированным контроллером SDRAM-памяти
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

EP7311 Высокопроизводительная система на кристалле с низким током потребления и интегрированным контроллером SDRAM-памяти

 

Блок-схема

EP7311, Высокопроизводительная система на кристалле с низким током потребления и интегрированным контроллером SDRAM-памяти
Увеличить

Группа компонентов

ARM

Основные параметры

ЦПУ: Ядро ARM720T
ЦПУ: F,МГц от 0 до 74
Память: RAM,КБайт 48
I/O (макс.),шт. 27
Таймеры: 16-бит,шт 2
Таймеры: Каналов ШИМ,шт 2
Таймеры: RTC Да
Интерфейсы: UART,шт 2
Интерфейсы: SPI,шт 1
Контроллер ЖКИ 1
VCC,В от 2.3 до 3.5
ICC,мА 6
TA,°C от -40 до 85
Корпус BGA-256 LQFP-208 TFBGA-204

Общее описание

Микроконтроллер EP7309 предназначен для устройств со сверхмалым энергопотреблением и питанием от батарей, таких как карманные компьютеры, медицинское и промышленное оборудование. Эта модель имеет возможность подключать внешнюю динамическую SDRAM-память, благодаря чему задачи микроконтроллера могут быть достаточно емкими. При подключении внешней памяти и других периферийных устройств EP7311 может стать сердцем мощной системы с малым потреблением энергии.

Напряжение питания ядра процессора составляет 2,5 В, а периферии — 2,5–3,3 В.

Поддерживаются операционные системы Windows CE и Linux.

Ключевые характеристики:

  • процессор ARM7TDMI с кэшем 8 КБ;
  • 48 КБ встроенной SDRAM-памяти;
  • 32-битный уникальный идентификатор MaverickKey для обеспечения информационной безопасности;
  • частота процессора 74 и 90 МГц;
  • LCD-контроллер, загрузочная ROM;
  • интерфейсы IrDA, PWM (2 шт.), 16550 UART (2 шт.);
  • часы реального времени и два 16-битных таймера общего применения;
  • интегрированные периферийные интерфейсы:
    • 8/16/32-битный интерфейс SDRAM/Flash/ROM;
    • два последовательных интерфейса;
    • контроллер клавиатуры 8?8 с возможностью управления светодиодами;
    • 27 выводов общего назначения;
  • поддержка отладочного интерфейса JTAG;
  • низкое энергопотребление:
    • 90 мВт при 74 МГц;
    • 108 мВт при 90 МГц;
    • <0,03 мВт в спящем режиме;
  • корпус 208 LQFP, 256 BGA, 204 TFBGA;
  • доступен коммерческий и индустриальный вариант исполнения.
Datasheet
 
EP7311 (1.2 Мб), 26.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

EP7311 Высокопроизводительная система на кристалле с низким током потребления и интегрированным контроллером SDRAM-памяти (1.2 Мб), 26.09.2008

Связанные документы

По фирмам
EP7312, EP7311 Errata Rev B Devices (370.9 Кб), 26.09.2008

EP73XX Руководство пользователя (1.8 Мб), 26.09.2008

EP73XX Errata Sheet (45.9 Кб), 26.09.2008



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1934 		Дата публикации: 26.09.2008 08:56
Дата редактирования: 16.09.2009 09:02

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники