+ PVD1352N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, двухполюсное, нормально разомкнутое, 0–100 В, 550мА
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

PVD1352N Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, двухполюсное, нормально разомкнутое, 0–100 В, 550мА

 

Блок-схема

PVD1352N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, двухполюсное, нормально разомкнутое, 0–100 В, 550мА

Группа компонентов

MOSFET Оптореле

Основные параметры

Группа контактов 1-FORM-A
Каналов,шт 1
VB,В 100
ILOAD (макс.),мА 550
RDS(ON) (макс.),Ом 1.5
IF (макс.),мА 25
ILEAK(OFF) (макс.),мкА 10
tON (макс.),мс 0.15
tOFF (макс.),мс 0.125
VISO,В 4000
TA,°C от -40 до 85
Корпус SMT-8

Общее описание
Datasheet
 
PVD13N (465.3 Кб), 03.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PVD13N Серия фотоэлектрических твердотельных реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсные, нормально разомкнутые, 0–100 В, 550мА (465.3 Кб), 03.09.2008



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 2784 		Дата публикации: 03.09.2008 13:04
Дата редактирования: 12.02.2013 09:14

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники