+ PVD1352N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, двухполюсное, нормально разомкнутое, 0–100 В, 550мА
 

PVD1352N Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, двухполюсное, нормально разомкнутое, 0–100 В, 550мА

 

Блок-схема

PVD1352N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, двухполюсное, нормально разомкнутое, 0–100 В, 550мА

Группа компонентов

MOSFET Оптореле

Основные параметры

Группа контактов 1-FORM-A
Каналов,шт 1
VB 100
ILOAD (макс.),мА 550
RDS(ON) (макс.),Ом 1.5
IF (макс.),мА 25
ILEAK(OFF) (макс.),мкА 10
tON (макс.),мс 0.15
tOFF (макс.),мс 0.125
VISO 4000
TA,°C от -40 до 85
Корпус SMT-8

Общее описание

Datasheet
 
PVD13N (465.3 Кб), 03.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PVD13N Серия фотоэлектрических твердотельных реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсные, нормально разомкнутые, 0–100 В, 550мА (465.3 Кб), 03.09.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 2278
Дата публикации: 03.09.2008 13:04
Дата редактирования: 12.02.2013 09:14


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019