+ PVDZ172N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A
 

PVDZ172N Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A

 

Блок-схема

PVDZ172N, Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A

Группа компонентов

MOSFET Оптореле

Основные параметры

Группа контактов 1-FORM-A
Каналов,шт 1
VB 60
ILOAD (макс.),мА 1500
RDS(ON) (макс.),Ом 0.25
IF (макс.),мА 25
ILEAK(OFF) (макс.),мкА 4000
tON (макс.),мс 2
tOFF (макс.),мс 0.5
VISO 4000
TA,°C от -40 до 85
Корпус SMT-8

Общее описание

Ключевые характеристики:

  • Управление: Пост. ток
  • Управляющий ток,мА: 10
  • Ток размыкания,мА: 0.4
  • Управляющее напряжение макс.,В: 7
  • Выходной каскад: МОП транз+диод
  • Контакты: НР
  • Коммутируемое пост.напряжение ,В: 0-60
  • Максимальный ток нагрузки ,А: 1.5
  • Время включения макс.,мс: 2
  • Время выключения макс,,мс: 0.5
  • Сопротивление в открытом состоянии макс.,Ом: 0.25
  • Сопротивление в закрытом состоянии мин.,МОм: 10000
  • Напряжение изоляции,кВ: 4
Datasheet
 
PVDZ172N (372 Кб), 03.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

PVDZ172N Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах серии HEXFET®, однополюсное, нормально разомкнутое, 0–60 В, 1.5A (372 Кб), 03.09.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 2585
Дата публикации: 03.09.2008 10:54
Дата редактирования: 12.02.2013 09:31


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019